多晶硅提炼后余下的 英文沉淀物硅泥含酸烘干后有危害没

N型高阻高寿硅单晶片--《天津科技》1998年04期
N型高阻高寿硅单晶片
【摘要】:正 高阻硅是制备光电探测器的关键材料,这种材料制备难度大,对工艺有很高的要求。为了满足各种探测器件的要求,各国都努力开发不同规格的高阻硅。我们研制的N型高阻高寿硅是为工程项目用器件配套的半导体材料。 该材料要求纯度高,且电阻率范围窄。要求N型电阻率在Ωcm范围内,少子寿命≥150μs,
【关键词】:
【分类号】:TN304【正文快照】:
高阻硅是制备光电探测器的关健材料,这种材料删备难度大。对工艺有很高的要求。为了满足各种探测器件的要求。各国都努力开发不同规格的高阻硅。我们研制的N型高阻高寿硅是为工程项目用器件配套的半导体材料。 该材料要求纯度高,且电阻率范圈窄。要求N型电阻率在t3c
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专题:实验设计题
分析:流程分析可知四氯化硅控制温度40°C,加入水水解生成原硅酸和氯化氢,过滤得到盐酸溶液,加入钡矿粉主要成分为BaCO3,且含有铁、镁等离子,调节溶液pH=7,使BaCO3转化为BaCl2,同时使Fe3+完全沉淀,过滤得到滤渣为氢氧化铁,滤液加入氢氧化钠溶液调节溶液pH=12.5,控制70°C,得到氢氧化镁沉淀,过滤得到滤液为氯化钡溶液蒸发浓缩,冷却结晶,过滤洗涤得到氯化钡晶体;(1)氯化硅水解生成原硅酸和氯化氢;(2)依据热化学方程式书写方法得到由SiCl4制备硅的热化学方程式,注意焓变的计算;(3)pH=3.4时,三价铁离子转化为氢氧化铁,当调节PH=7时能促使三价铁离子沉淀完全;&&(4)依据溶度积常数计算;(5)根据氢氧化铁和氢氧化镁完全沉淀所需溶液的PH值确定滤渣A的成分.
解:(1)用H2还原SiCl4蒸气可制取纯度很高的硅,当反应中有1mol电子转移时吸收59KJ热量,转移4mol电子吸收热量236KJ,反应的热化学方程式:SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236kJ/mol,故答案为:SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236kJ/mol;(2)氯化硅水解生成原硅酸和氯化氢,水解方程式为:SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl,故答案为:SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl;(3)pH=3.4时,三价铁离子完全生成沉淀,使Fe3+完全沉淀;盐酸和碳酸钡反应生成氯化钡和二氧化碳、水,加钡矿粉并调节pH=7的作用是使BaCO3转化为BaCl2,同时使使Fe3+完全沉淀,故答案为:使BaCO3转化为BaCl2;使Fe3+完全沉淀生成氢氧化铁沉淀;&&&&&&&(4)pH=7溶液中铁离子全部沉淀,c(OH-)=10-7mol/L,Ksp[Fe(OH)3]=c(Fe3+)c3(OH-)=2.2×10-38,c(Fe3+)=2.2×10-38(10-7)3=2.2×10-17mo/L;故答案为:2.2×10-17mo/L;(5)当pH=3.4时,铁离子完全生成沉淀,当pH=12.4时,镁离子完全沉淀生成氢氧化镁,Mg(OH)2,所以当pH=12.5时,滤渣A的成分是氢氧化镁,反应的离子方程式为:Mg2++2OH-=Mg(OH)2↓,故答案为:Mg2++2OH-=Mg(OH)2↓.
点评:本题考查了BaCl2?2H2O制备实验方案的设计方法,题目难度中等,为高考的热点,正确理解制备流程、反应原理为解答关键,涉及了制备方案的设计、热化学方程式、离子方程式书写,试题充分考查了学生的分析、理解能力及灵活应用所学知识的能力.
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科目:高中化学
下列各组离子,无论是在强酸性环境还是在强碱性环境均可以大量共存的是(  )
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运用化学反应原理研究氮及其化合物的反应有重要意义.(1)合成氨反应N2(g)+3H2(g)?2NH3(g)△H=a&kJ/mol,若在恒温、恒压条件下,向平衡体系中通入氩气,平衡移动(填“向左”、“向右”或“不”).(2)图为合成氨过程中能量变化示意图.焓变△H0(填“>”、“<”或“=”);铁触媒是合成氨反应的催化剂,铁触媒的使用会使图中B点(填“升高”、“降低”);&使用催化剂后反应的△H(填“增大”“减小”或“不改变”).
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